アルバックの技術セミナー(12月19日)〜GaN等パワーデバイス動向

 

アルバックが例年12月に開催するセミナーに参加、質問もした。121910時〜11時半。昨年は、中国ビジネス動向だったが、今年は、技術、GaN等のパワーデバイス動向であり、内容が濃い。

 

 まず、斉藤上席執行役員が、イントロでパワーデバイス業界トレンドを紹介、次いで、トヨタ中研から現在、名大特任教授の加地氏によるGaNパワーデバイス動向、アルバックの上村部長からは化合物半導体、GaN-HEMTVCSELなど、ホットな話題が提供された。質疑の時間が、10分弱であり、11問で3問だったのが残念だった。

 

パワーデバイスにおけるGaNの可能性

 

 パワーデバイスの応用は、縦軸に消費電力、横軸に周波数をとると、下図のように、すみ分けられている。

 

加地特任教授によるクルマにおけるGaNの応用分野

 

 加地教授は、これまで、トヨタ中研等で、ずっとEV向けパワーデバイスに係ってきた。ハイブリッドも含め、電動化の鍵は、①電池、②車体、③半導体、である。

 

VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser ヴィクセル垂直共振器型面発光レーザ)

 iPhoneの顔認証(ロミオモジュールと、ジュリエットモジュール)では、VCSELが使われた。