正確な報道を「ナノ」に関する話題

セミコンジャパンで多くの成果が出て素晴らしいが、以前からマスコミ、特にTVを中心に誤解を招く表現やコメントが多い。トランジスタ構造がプレナーまでは各社で差異はあるが、微細化の線幅がロードマップであり、ロジックもメモリも同様であった。しかし、Fin-FET以降は、いわゆる「ナノ」であり、実際は異なり、GAAが「2nm」と言っても、トランジスタの様々な線幅が2nmではないどころか、10nm程度である。また、NANDやDRANでは、平面方向の微細化は技術の難易度を示していない、これは、ITRS等のロードマップや国家安全補償の規制でも多様な尺度がある。それゆえ、2nm世代で日本が遅れているというのは先端ロジックだけの話だ。トランジスタ構造もGAAは先端ロジック中心の話であり、NAND等で様々な構造が実用化されている。パワー半導体は構造が異なり、微細化の意味は違う。